针对二维过渡金属氧化物V₂O₃超薄单晶可控合成难题，该研究提出了一种Ge辅助化学气相沉积策略，成功实现垂直生长高质量V₂O₃纳米片的可控制备，厚度最低可至单层0.72 nm。通过XRD、TEM、HAADF-STEM等表征手段，确认了材料的高结晶度和相纯度。电学测试表明，V₂O₃纳米片在室温下呈现金属性，电导率最高达7.56×10⁴S m⁻¹，击穿电流密度达2.62×10⁷A cm⁻⟡；随着温度降低，材料在约150 K附近发生显著的金属-绝缘体转变。磁性测试进一步发现，材料在约140-150 K出现铁磁有序，为二维极限下关联电子与磁性研究提供了新材料平台。

该研究得到湖北省自然科学基金、湖北汽车工业学院博士科研启动基金、十堰市量子信息与精密光学重点实验室开放基金等支持。（审稿：张默）